روش تولید این پوشش به صورت cvd یا رسوب دهی بخار شیمیایی است بدین صورت که عملیات پوشش دهی توسط جریان کربن و وجود سیلیکون در حضور گازی بی اثر (مثل هیدروژن خالص و. . .
برای این منظور، پلی سیلیکون با روش رسوب دهی شیمیایی در فشار پایین (lpcvd) در دماهای بالا رسوب داده می شوند. این ترکیبات می توانند به صورت نیمه رسانای دوپه شده (Doped) نوع (n) یا نوع (p) نیز رسوب دهی شوند.
همچنین بخار شیمیایی سیلیکون کاربید رسوب یافته به نام CVD Silicon Carbide وجود دارد که یک شکل کاملاً خالص این ترکیب می باشد. ویژگی های کاربردی سیلیکون کارباید
۱- انواع روش های رسوب دهی شیمیایی بخار منابع زیادی مانند گرما، پلاسما، لیزر، فوتون و … برای تشکیل لایه نازک با رسوب دهی شیمیایی بخار استفاده می شود.
روش تولید این پوشش به صورت cvd یا رسوب دهی بخار شیمیایی است بدین صورت که عملیات پوشش دهی توسط جریان کربن و وجود سیلیکون در حضور گازی بی اثر (مثل هیدروژن خالص و. . .
همچنین بخار شیمیایی سیلیکون کاربید رسوب یافته به نام CVD Silicon Carbide وجود دارد که یک شکل کاملاً خالص این ترکیب می باشد.
سرامیک های کاربید سیلیکون دارای استحکام مکانیکی خوب، پایداری حرارتی، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون، مقاومت در برابر شوک حرارتی و مقاومت در برابر خوردگی شیمیایی ...
همچنین بخار شیمیایی سیلیکون کاربید رسوب یافته به نام CVD Silicon Carbide وجود دارد که یک شکل کاملاً خالص این ترکیب می باشد. ویژگی های کاربردی سیلیکون کارباید:
با توجه به فرآیند آماده سازی، قطعات کاربید سیلیکون را می توان به کاربید سیلیکون ته نشینی بخار شیمیایی (cvd sic)، کاربید سیلیکون متخلخل واکنش، کاربید سیلیکون متخلخل شده تبلور مجدد، کاربید ...
با استفاده از لایه نشانی به روش رسوب شیمیایی بخار، می‌توان نانو ساختار‌های متنوعی را مانند نانوساختار‌های سرامیکی، کاربید‌ها و نانولوله‌های کربنی ایجاد کرد.
