عدد کوانتومی مغناطیسیِ یک اوربیتال، بین l- و l+ قرار دارد. ... البته با توجه به پایدار بودن عناصر نجیب، می‌توان با استفاده از آنها نیز آرایش الکترونی را بیان کرد. برای نمونه در زیر آرایش ...
آموزش این درس رو از مقدماتی ترین مفاهیم مثل تعریف مدار، جریان، ولتاژ و …آغاز می کنیم و در انتها به سطحی از مهارت می رسیم که بسیاری از تست های هر کنکور و هر آزمونی رو در کمتر از 1 دقیقه، 30 ثانیه و ...
المان‌ها یا عناصر پسیو، عناصری هستند که تنها می‌توانند انرژی را ذخیره کرده و یا آن را تلف کنند، اما نمی‌توانند انرژی تولید کنند. وجود المان‌های پسیوی مثل مقاومت، سلف، خازن و ترانسفورماتور برای ساخت مدارهای ...
شکل 1: شار مغناطیسی تولیدی با یک سیم‌پیچ n n n دوری براساس قانون فارادی ، ولتاژ القا شده سیم‌پیچ ( v v v )، با تعداد دورهای N N N و نرخ تغییر شار مغناطیسی ϕ phi ϕ متناسب است.
مدارهای مغناطیسی — به زبان ساده فرادرس مجله در مدار مغناطیسی شکل زیر، مقدار i i را به‌گونه‌ای محاسبه کنید که شار Φ =0.75×10. ... کاهش مغناطیسی: عناصر و میدان مغناطیسی زمین ...
این میدان مغناطیسی انرژی را ذخیره می‌کند و باعث ایجاد یک ولتاژ موجود در انتهای اندوکتانس می‌شود که مقادیری از جریان الکتریکی ایجاد می‌کند. ... انتخاب عناصر مدار مانند مقاومت ها، خازن ها و ...
یک مدار مغناطیسی بسیار کارآمد با تشکیل حلقه ای از مواد فریت با یک مسیر شار مغناطیسی پیوسته در داخل آن ایجاد می شود. ... از آهن، منگنز، روی و سایر عناصر تشکیل شده است و دارای نفوذپذیری مغناطیسی ...
مدار همچنین با این تعریف می‌تواند مسیر بسته‌ای باشد که شار الکتریکی یا مغناطیسی را از درون خود گذر می‌دهد. مدارها بر حسب دامنهٔ کارکرد به دو دسته تقسیم می‌شوند.
هر ماده مغناطیسی، خود یک میدان مغناطیسی تولید می‌کند که وابسته به درجه تراز دامنه‌های مغناطیسی در ماده تنظیم شده توسط الکترون‌های مداری و چرخشی است.
تقویت کننده مغناطیسی ، تقویت کننده ی مغناطیسی تقویت کننده ای بر اساس خواص غیر خطی واکنشگرهای اشباع شدنی ، به تنهایی یا در ترکیب با سایر عناصر مدار ، برای ایجاد تقویت سیگنال ورودی dc یا ac برای ...
فرض کنید که در یک مدار ... هر یک از این عناصر در دمای متفاوتی، موسوم به «دمای ... میدان مغناطیسی تولید شده توسط این آهنرباهای ابر رسانا بیش از 100,000 بار قوی‌تر از میدان مغناطیسی زمین و در حدود 8.3 ...
«عناصر غیرفعال» یا «پَسیو» (passive) از اجزای اصلی مدارهای الکتریکی به شمار می‌روند و بدون آنها اینگونه مدارات ناپایدار گشته و یا به درستی عمل نخواهند کرد. اما اِلمان‌های پسیو چه هستند؟ المان‌ها یا عناصر پسیو، عناصری ...
در تحلیل عملکرد عناصر و مدارهای مغناطیسی، مفاهیمی مانند میدان مغناطیسی، چگالی شار، ضریب نفوذ پذیری و … عنوان می‌شوند. در این مقاله سعی خواهیم کرد تا این مفاهیم مورد نیاز را معرفی کنیم.
نیروی محرکه مغناطیسی، به شار مغناطیسی کل. رِلوکتانس مقاومت مغناطیسی یا به عبارتی نفوذ پذیری مغناطیسی است. این پارامتر از لحاظ ریاضی مشابه با مقاومت الکتریکی در مدارهای الکتریکی است. r = f/Φ
در یک مدار سری، جمع فازوری ولتاژهای عناصر مدار برابر با ولتاژ تغذیه (vs) است. در یک مدار موازی، جمع فازوری جریان‌های جاری در هر شاخه و نیز در هر یک از عناصر مدار، برابر با جریان تغذیه (is) است.
مدارهای مغناطیسی تعاریف مقدماتی; تعیین جهت شار در مدارات مغناطیسی; دسته بندی مواد مغناطیسی; رابطه بین شدت میدان مغناطیسی و چگالی میدان مغناطیسی; مواد فریت; تاثیر دما و فرکانس بر روی میدان ...
مدار مغناطیسی سری شکل زیر را در نظر بگیرید. مقدار جریان III مورد نیاز را برای برقراری شار مغناطیسی 4×10−44 times 10^{-4}4×10−4 وبر بیابید. همچنین مقدار μmuμ و μrmu _rμrرا محاسبه کنید. حل: چگالی شار BBBرا می‌توان با رابطه زیر محاسبه کرد: با استفاده از منحنی B-H می‌توانیم نیروی مغناطیس‌کنندگی H را تعیین کنیم: اگر قانون مداری آمپر را به‌کار ببریم،...
المان‌های C ،B ،A و D عناصر مدار نامیده می‌شوند که می‌توانند ... به علت این که در «میدان مغناطیسی» (Magnetic Field) خود، انرژی ذخیره می‌کنند در مدارهای الکتریکی به کار می‌روند. عنصری که سلف نامیده می ...
اگر مدار تنها شامل عناصر الکتریکی باشد، به آن مدار الکتریکی گفته می شود و اگر شامل هر دو نوع عناصر الکتریکی و الکترونیکی باشد، مدار الکترونیکی نامیده می شود. ... مدار مغناطیسی از یک یا چند ...
مقاله مدارهای الکتریکی به بررسی اصول و اجزای مدارهای الکتریکی و الکترونیکی پرداخته و انواع مدارهای مغناطیسی، الکترونیکی و مدارهای مجتمع را توضیح می دهد.
کاربرد مدار معادل تونن یا نورتن در مدارهای با عناصر غیر خطی. یکی از کاربردهای مهم از مدارهای معادل تونن یا نورتن، ساده کردن حل مدارهای با یک عنصر غیرخطی است.
اجزای یک مدار الکتریکی می‌تواند شامل مقاومت‌هایی باشد که جریان الکترون‌ها را محدود می‌کنند، خازن‌هایی که انرژی الکتریکی را ذخیره می‌کنند و سلف‌هایی که انرژی مغناطیسی را ذخیره می‌کنند.
نیروی محرکه مغناطیسی، به شار مغناطیسی کل رِلوکتانس مقاومت مغناطیسی یا به عبارتی نفوذ پذیری مغناطیسی است. این پارامتر از لحاظ ریاضی مشابه با مقاومت الکتریکی در مدارهای الکتریکی است.
میدان مغناطیسی حاصل از یک جریان مستقیم ثابت زمانی در شبکه سلف و مقاومت، ثابت زمانی خازن، کلید زنی مدار های شامل سلف و خازن
